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元器件采购网 > S-416页 > FET - 单SI4346DY-T1-E3

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SI4346DY-T1-E3

8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) Vishay Siliconix 15168 闁活澀绲婚惁浠嬫晬閿燂拷0755-83217923
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SI4346DY-T1-E3参数
产品类别:分立半导体产品-FET - 单
说明:MOSFET N-CH 30V 5.9A 8-SOIC
包装数量:2500
包装形式:带卷 (TR)
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FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):30V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):5.9A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):23 毫欧 @ 8A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):10nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):-
功率 - 最大值:1.31W
安装类型:表面贴装

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